有关PBTI的知识

低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI

07-08

全部作者：萨宁杨红康晋锋第1作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性（PBTI和NBTI）。结...