GaAs和InP单晶材料的发展施工企业管理论文
GaAs和InP单晶材料GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。目前，世界GaAs单晶的...
InP/InGaAs HBT频率特性分析
全部作者：马晓晖黄永清吴强第1作者单位：北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室论文摘要：频响特性是HBT设计中应首先考虑的因素,而，则是HBT最主要的频率性能指标，本文基于InP/InGaAsHBT器件的`物理结构构建了小信号...