全部作者：杨红 萨宁 康晋锋第1作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特性。结果显示，其TDDB特性呈本征特性，在常电压应力作用下，HfO2高K栅介质显示了应力电压依赖的TDDB特性，即在低应力电压下，界面层优先击穿，而在高应力电压下，HfO2体层优先击穿。1个关于高K栅介质的'TDDB击穿的新模型被提出。关键词：高K栅介质，可靠性，时变击穿，常电压应力 (浏览全文)发表日期：2007年12月31日同行评议：
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